Presentation Information
[7a-P05-43]Correlation between CVD growth conditions and crystal shape of NbSe2 thin film
〇(M2)Shogo Masegi1, Yasushi Ishiguro1, Takashi Tachiki1 (1.National Defense Academy)
Keywords:
NbSe2,CVD
ニセレン化ニオブ (NbSe2) は超伝導性を示す遷移金属ダイカルコゲナイド (TMD) の一つであり、近年は他の二次元物質と同様に層数（次元性）制御や他の二次元物質とのヘテロ接合などにより発現する特異な電子物性が注目されている。我々も、NbSe2の超伝導デバイスへの応用に向けて、化学気相成長 (CVD) 法による基板への成膜に取り組んでいる。NbSe2は成長条件に応じて発現する結晶の形状も、三角形、六角形、樹枝形など様々で形状に応じてエッジの元素種も変化し、このエッジの状態の違いが二次元物質そのものの物性に大きく影響することが知られている。そこで本研究では、NbSe2薄膜のCVD成長条件と発現する結晶形状の相関、またその物性を調べた。