Presentation Information
[7p-N105-8]Evaluation of phonon spectrum for GeO2/Ge interface by grazing incidence inelastic X-ray scattering
〇Ryo Yokogawa1,2,3, Sota Higashi4, Taishun Manjo5, Atsushi Ogura4,3 (1.RISE, Hiroshima Univ., 2.Grad. Sch. of Eng., Hiroshima Univ., 3.MREL, 4.Meiji Univ., 5.JASRI)
Keywords:
Ge,Interface,Inelastic x-ray scattering
Si, Geは微細化によって熱伝導率を顕著に低くできることから、次世代熱電発電デバイスへの応用に期待されている。熱伝導率低下の要因として、酸化膜界面に局在する無秩序な振動状態が関与していることが計算により示されており、界面に着目したフォノン物性の把握は極めて重要である。我々は斜入射X線を用いたX線非弾性散乱法に着目し、GeO2/Ge界面に対してフォノンスペクトル測定を実施したので報告する。