講演情報
[7p-N105-8]斜入射X線非弾性散乱法によるGeO2/Ge界面のフォノンスペクトル評価
〇横川 凌1,2,3、東 奏太4、萬條 太駿5、小椋 厚志4,3 (1.広大RISE、2.広大院先進理工、3.明大MREL、4.明大理工、5.JASRI)
キーワード：
Ge、界面、X線非弾性散乱
Si, Geは微細化によって熱伝導率を顕著に低くできることから、次世代熱電発電デバイスへの応用に期待されている。熱伝導率低下の要因として、酸化膜界面に局在する無秩序な振動状態が関与していることが計算により示されており、界面に着目したフォノン物性の把握は極めて重要である。我々は斜入射X線を用いたX線非弾性散乱法に着目し、GeO2/Ge界面に対してフォノンスペクトル測定を実施したので報告する。