[7p-N302-1~19] 17.3 Layered materials

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-N302-17] Introduction of Strain in WSe₂ and MoS₂ grown on Graphene/SiC(0001)

〇Ryotaro Sakakibara^1,2, Kaito Hirata^3,4, Yasufumi Takahashi⁴, Wataru Norimatsu⁵, Yasumitsu Miyata^1,2 (1.NIMS, 2.Tokyo Metro. Univ., 3.Nagoya Inst. Tech., 4.Nagoya Univ., 5.Waseda Univ.)

Keywords:

strain,photoluminescence,hydrogen evolution reaction

遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の物性は歪みの導入によって様々に制御でき、こうした歪み工学による機能開拓が近年注目されている。本研究では、TMD成長基板としてグラフェン/SiC(0001)を用いた結果、TMDに均一な引張歪みが導入されることを見出したので報告する。具体的には、CVD法によってグラフェン/SiC上にvan der Waalsエピタキシー成長した単層WSe₂は約28meVの細いPL線幅を示し、また、MoS₂の場合では水素発生触媒性能の顕著な向上が見られた。