講演情報
[7p-N302-17]グラフェン/SiC(0001)上のWSe2およびMoS2における歪み導入
〇榊原 涼太郎1,2、平田 海斗3,4、高橋 康史4、乗松 航5、宮田 耕充1,2 (1.物材機構、2.都立大、3.名工大、4.名大、5.早大)
キーワード：
歪み、フォトルミネッセンス、水素発生反応
遷移金属ダイカルコゲナイド（TMD）の物性は歪みの導入によって様々に制御でき、こうした歪み工学による機能開拓が近年注目されている。本研究では、TMD成長基板としてグラフェン/SiC(0001)を用いた結果、TMDに均一な引張歪みが導入されることを見出したので報告する。具体的には、CVD法によってグラフェン/SiC上にvan der Waalsエピタキシー成長した単層WSe2は約28meVの細いPL線幅を示し、また、MoS2の場合では水素発生触媒性能の顕著な向上が見られた。