[7p-N307-1~10] 12.3 Functional Materials and Novel Devices

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)

[7p-N307-9] Investigation of CT Formation Depth at Donor/Acceptor Interface Utilizing Rotary Kelvin Probe

〇(M1)Kaito Akizuki¹, Mana Kameyama¹, Chihaya Adachi^1,2 (1.OPERA, Kyushu Univ., 2.I2CNER, Kyushu Univ.)

Keywords:

Organic semiconductor,Charge transfer

有機薄膜積層CT構造は、キャリア輸送界面でのトラップ形成を抑制でき、さらにCT界面へ直接キャリアを注入できるため、高導電特性等の優れた特徴を有する。しかしながら、CTによって生成されるキャリア数やキャリアの蓄積・拡散挙動の実態は不明瞭である。そこで、本研究ではCuPc/F₁₆CuPc界面に焦点 を当て、回転型Kelvin Probeを用いた解析により、界面におけるCT形成深さについて議論した。