講演情報
[7p-N307-9]回転型 Kelvin Probe を用いたドナー/アクセプター積層界面における CT 形成深さの推定
〇(M1)秋月 海翔1、亀山 真奈1、安達 千波矢1,2 (1.九大 OPERA、2.九大 WPI-I²CNER)
キーワード：
有機半導体、電荷移動
有機薄膜積層CT構造は、キャリア輸送界面でのトラップ形成を抑制でき、さらにCT界面へ直接キャリアを注入できるため、高導電特性等の優れた特徴を有する。しかしながら、CTによって生成されるキャリア数やキャリアの蓄積・拡散挙動の実態は不明瞭である。そこで、本研究ではCuPc/F16CuPc界面に焦点 を当て、回転型Kelvin Probeを用いた解析により、界面におけるCT形成深さについて議論した。