Presentation Information
[7p-N401-11]Fabrication of InP crystal phase transition heterojunction vertical transistor
〇Ryosei Uchida1,2, Yuki Azuma1,2, Keita Taniyama1,2, Junichi Motohisa1,2, Katsuhiro Tomioka1,2 (1.Hokkaido Univ., 2.RCIQE)
Keywords:
semiconductor,nanowire,III/V compound semiconductor
半導体における構造相転移は、結晶構造中の準安定相を安定化し単結晶構造にすることができる。InPナノワイヤ(NW)の場合、安定構造が閃亜鉛鉱型構造(ZB)であるが、特異な条件で成長することで、準安定構造のウルツ鉱型結晶相(WZ)が単結晶構造になる。このような構造相転移材料は同一材料だけでヘテロ接合構造を作製できる。また、この構造相転移ヘテロ接合界面は、Type-II型のバンド不連続性を示すことが報告されている。本発表では、WZ構造InPナノワイヤを有機金属気相選択成長法(MOVPE選択成長法)で成長し、InP基板（ZB構造）との接合界面で形成される構造相転移ヘテロ接合のショットキー障壁を縦型ゲートオールアラウンド(VGAA)トランジスタに応用し評価したので報告する。