講演情報
[7p-N401-11]InPナノワイヤ構造相転移ヘテロ接合縦型トランジスタの作製
〇内田 凌聖1,2、東 佑樹1,2、谷山 慶太1,2、本久 順一1,2、冨岡 克広1,2 (1.北海道大工、2.RCIQE)
キーワード：
半導体、ナノワイヤ、III/V 族半導体
半導体における構造相転移は、結晶構造中の準安定相を安定化し単結晶構造にすることができる。InPナノワイヤ(NW)の場合、安定構造が閃亜鉛鉱型構造(ZB)であるが、特異な条件で成長することで、準安定構造のウルツ鉱型結晶相(WZ)が単結晶構造になる。このような構造相転移材料は同一材料だけでヘテロ接合構造を作製できる。また、この構造相転移ヘテロ接合界面は、Type-II型のバンド不連続性を示すことが報告されている。本発表では、WZ構造InPナノワイヤを有機金属気相選択成長法(MOVPE選択成長法)で成長し、InP基板（ZB構造）との接合界面で形成される構造相転移ヘテロ接合のショットキー障壁を縦型ゲートオールアラウンド(VGAA)トランジスタに応用し評価したので報告する。