[7p-N401-1~16] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

6:00 PM - 6:15 PM JST(9:00 AM - 9:15 AM UTC)

[7p-N401-16] Quantitative Analysis of Electron Spin Relaxation Time in Bulk GaAs

〇Satoshi Iba¹, Yuzo Ohno^1,2 (1.AIST, 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:

GaAs,Spin relaxation mechanism,Scattering mechanism

GaAsバルクにおける電子スピン緩和時間を、LOフォノン散乱、音響フォノン散乱、電子–電子散乱、電子–正孔散乱といった各種散乱機構を考慮した運動量緩和時間の評価に基づいて定量的に解析した。各散乱を弾性散乱として扱い、電子エネルギー依存性を反映したシミュレーションを実施した結果、時間分解フォトルミネッセンス測定による実験値と良好に一致した。この結果は本シミュレーション手法の妥当性を示している。