Presentation Information
[7p-N403-2]Fabrication of a back-illuminated Mg2Si-pn junction PD sensor by conventional microfabrication process
〇Hideto Takei1, Yuki Iino1, Yamaguchi Hiroki1, Shunya Sakane1, Haruhiko Udono1 (1.Ibaraki Univ.)
Keywords:
Mg2Si,Infrared sensor,Photodiode
近年、短波長赤外（SWIR）光センサは、IoT機器でのセンシング、自動運転や産業検査など多様な応用分野において需要が見込まれており、活発に研究開発が進められている。SWIR領域では、InP基板上に作製されたInGaAs系センサが広く利用されているが、高い製造コストや希少元素といった課題が、さらなる実用拡大に向けた障壁となっている。そこで我々は、約0.61eVの間接遷移型バンドギャップを有し、構成元素が地殻中で豊富なMg2Siに注目して研究を行っている。これまで、表面から光を入射する表面入射型フォトダイオード（PD）アレイを検討し、32画素のリニアアレイの試作に成功している。しかし、2次元アレイ構造では配線の容易さから裏面入射構造が望ましい。そこで本研究では、基板裏面から光を入射する裏面入射型PDを試作した。