Presentation Information
[7p-P03-34]Theoretical study on tunneling current of Fe/Mgo(110) interface
〇(M1)Rikuto Ogawa1, Yoshio Miura1 (1.KIT)
Keywords:
First-principles calculation,Spin injection,Tunnel magneto-resistance effect
本研究ではGaAs/AlGaAs(110)に対してスピン偏極電流の注入源となりうるFe/MgO(110)接合のスピン依存伝導を理論的に解明するためにFe/MgO/Fe磁気トンネル接合（MTJ）のトンネル磁気抵抗（TMR）効果の第一原理計算を行った。その結果、Fe/MgO/Fe(110)-MTJはFe/MgO/Fe(001)-MTJと比べてTMR比は一桁以上小さいことが判明した。これは、高い透過率に寄与するbcc-Feの4sバンドと3d(3z2-r2)バンドがフェルミエネルギー付近においてup-spinとdown-spin状態の両方に存在し、その結果MR比が小さくなっていることが分かった。