講演情報
[7p-P03-34]Fe/Mgo(110)界面におけるトンネル電流に関する理論研究
〇(M1)小川 大空翔1、三浦 良雄1 (1.京都工芸繊維大工)
キーワード：
第一原理計算、スピン注入、トンネル磁気抵抗効果
本研究ではGaAs/AlGaAs(110)に対してスピン偏極電流の注入源となりうるFe/MgO(110)接合のスピン依存伝導を理論的に解明するためにFe/MgO/Fe磁気トンネル接合（MTJ）のトンネル磁気抵抗（TMR）効果の第一原理計算を行った。その結果、Fe/MgO/Fe(110)-MTJはFe/MgO/Fe(001)-MTJと比べてTMR比は一桁以上小さいことが判明した。これは、高い透過率に寄与するbcc-Feの4sバンドと3d(3z2-r2)バンドがフェルミエネルギー付近においてup-spinとdown-spin状態の両方に存在し、その結果MR比が小さくなっていることが分かった。