Presentation Information
[7p-P09-6]Structure and electronic properties of germanium halide perovskite compounds
〇Hatsumi Yoshiki1, Hironori Ogata1,2,3, Koichiro Mifu3, Ikuzo Kanazawa3 (1.Grad. Sch. Sci. and Engin., Hosei Univ., 2.Dept. Chem. Sci. and Technol., Hosei Univ., 3.Research Center for Micro-Nano Technol., Hosei Univ.)
Keywords:
semiconductor,optical physics,perovskite
ハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物半導体は、第一原理計算により構造的な歪みによって強誘電性が生じることが報告され、自発分極とキャリア輸送特性の関係が示唆されている。
本研究では、数種類のハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物単結晶を合成し、その結晶構造および局所的なGeX₆八面体格子歪みがキャリア輸送特性に与える影響について系統的に調べた結果について報告する。
本研究では、数種類のハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物単結晶を合成し、その結晶構造および局所的なGeX₆八面体格子歪みがキャリア輸送特性に与える影響について系統的に調べた結果について報告する。