[7p-P09-1~9] 12.8 特定テーマ：有機無機ハイブリッドペロブスカイトの光電物性・デバイス作製・構造制御

[7p-P09-6] ハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物の構造と電子物性

〇初見 孝稀¹、緒方 啓典^1,2,3、見附 孝一郎³、金沢 育三³ (1.法政大院理工研、2.法政大生命科学、3.法政大ﾏｲｸﾛ・ﾅﾉ研)

キーワード：

半導体、光物性、ペロブスカイト

ハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物半導体は、第一原理計算により構造的な歪みによって強誘電性が生じることが報告され、自発分極とキャリア輸送特性の関係が示唆されている。
本研究では、数種類のハロゲン化ゲルマニウムペロブスカイト化合物単結晶を合成し、その結晶構造および局所的なGeX₆八面体格子歪みがキャリア輸送特性に与える影響について系統的に調べた結果について報告する。