[7p-S103-1~11] Atomic Layer Process (ALP) analysis and application technologies (2)

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[7p-S103-10] Research on Ru deposition when changing surface conditions

〇Shogo Okugawa¹, Rahman Gagi Tauhidur², Ryo Yokogawa^1,2, Yoshiteru Amemiya², Akinobu Teramoto^1,2,3 (1.Grad. Sch. of Adv. Eng., Hiroshima Univ, 2.RISE, Hiroshima Univ, 3.HiSOR, Hiroshima Univ)

Keywords:

Semiconductor,Atomic Layer Deposition,Ruthenium

現在の半導体集積回路では配線層に銅(Cu)が用いられているが、Cu配線には拡散防止のため高抵抗なバリアメタルが必要であり、微細化によりその割合が増えると抵抗が増加する。ルテニウム(Ru)はバリアメタルを必要とせず、微細配線でも低抵抗を維持できるため次世代配線材料として注目されている。Ruの成膜にはALD(Atomic Layer Deposition)が用いられ、成膜の有無は原料プリカーサーの吸着制御で決まる。本研究では、ALDで成膜されたRuが基板表面の状態によりどう変化するかを検討したので報告する。