[7p-S103-1~11] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（２）

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[7p-S103-10] 表面条件を変化させた際のルテニウムALDに関する研究

〇奥川 昭悟¹、ラーマン ガギ　タウヒドゥル²、横川 凌^1,2、雨宮 嘉照²、寺本 章伸^1,2,3 (1.広大先進理工、2.広大 RISE、3.広大 HiSOR)

キーワード：

半導体、原子層堆積法、ルテニウム

現在の半導体集積回路では配線層に銅(Cu)が用いられているが、Cu配線には拡散防止のため高抵抗なバリアメタルが必要であり、微細化によりその割合が増えると抵抗が増加する。ルテニウム(Ru)はバリアメタルを必要とせず、微細配線でも低抵抗を維持できるため次世代配線材料として注目されている。Ruの成膜にはALD(Atomic Layer Deposition)が用いられ、成膜の有無は原料プリカーサーの吸着制御で決まる。本研究では、ALDで成膜されたRuが基板表面の状態によりどう変化するかを検討したので報告する。