Presentation Information
[8a-N105-8][The 58th Young Scientist Presentation Award Speech] Direct observation of the density of in-gap states of In2O3:H and the origin of instability in thin film transistor Ⅱ
〇Ryotaro Nakazawa1, Yusaku Magari2,3, Keisuke Fukutani1, Hiromichi Ohta3, Satoshi Kera1 (1.IMS, 2.Kochi Univ. of Tech, 3.RIES - Hokkaido Univ.)
Keywords:
Transparent oxide semiconductor,In-gap states,Thin film transistor
透明酸化物半導体のIn2O3:Hは高い電界移動度を有し、薄膜トランジスタのチャネル層の材料として注目を集めているが、In2O3:Hの電子輸送特性は作製条件で敏感に変化したり電界ストレスなどでトランジスタ特性が容易に劣化したりする課題を持つ。半導体の電気物性や素子劣化の起源として価電子帯と伝導帯の間の微小な電子状態 (ギャップ内準位) が提案されている。本研究では、試料損傷を抑えつつ平均自由行程が長くなる低エネルギー高感度紫外光電子分光によりIn2O3:Hのギャップ内状態密度のエネルギー分布を実測した。さらに、光照射ストレスにより光誘起ギャップ内準位が生成されることを見出した。講演では光誘起ギャップ内準位や素子劣化の起源について最近の進捗を含めて議論する。