[8a-N321-1~9] 6.2 Carbon-based thin films

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[8a-N321-5] Thermal stability and electrical properties of Si- and N-doped DLC films

〇Rinntaro Takemura¹, Yuya Yamazaki¹, Shota Ito¹, Yushi Suzuki¹, Yoshiharu Enta¹, Yasuyuki Kobayashi¹, Hideki Nakazawa¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:

Diamond-like carbon,Heat resistance,Electrical properties

RFプ ラズマ化学気相成長によるSi及びN添加DLC(Si-N-DLC)薄膜のトライボロジー特性および耐熱性、ならびに Si-N-DLC/p型Si ヘテロ接合の光照射下における電流電圧特性を調べた。Si添加量8.5 at.%以上において大気中600 ºC熱処理後の摩擦係数の増加量は小さかった。Si-N-DLC/p型Siヘテロ接合の電流電圧特性において、 Si添加量5.9 at.%および8.5 at.%において短絡電流密度が増加した。