[8a-N321-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

10:45 〜 11:00

[8a-N321-5] Si およびN添加DLC薄膜の耐熱性および電気特性

〇竹村 凜太朗¹、山崎 雄也¹、伊東 翔太¹、鈴木 裕史¹、遠田 義晴¹、小林 康之¹、中澤 日出樹¹ (1.弘前大院工)

キーワード：

ダイヤモンドライクカーボン、耐熱性、電気特性

RFプ ラズマ化学気相成長によるSi及びN添加DLC(Si-N-DLC)薄膜のトライボロジー特性および耐熱性、ならびに Si-N-DLC/p型Si ヘテロ接合の光照射下における電流電圧特性を調べた。Si添加量8.5 at.%以上において大気中600 ºC熱処理後の摩擦係数の増加量は小さかった。Si-N-DLC/p型Siヘテロ接合の電流電圧特性において、 Si添加量5.9 at.%および8.5 at.%において短絡電流密度が増加した。