Presentation Information
[8a-P05-18]Electrical Properties of CrN Thin Film and Effects of Al-doping
〇WeiChiao Chang1, Yi Shuang1,2, Daisuke Ando1, Yuji Sutou1,2 (1.Tohoku Univ. ENG, 2.Tohoku Univ. AIMR)
Keywords:
Phase Change Memory,Phase Change Material,Nitride Thin Film
IoT社会が入り、膨大な情報を処理・保存することが極めて重要になった。そのため、大容量・高速の性能を有する次世代相変化メモリにも注目が集まった。しかし、CrNを用いた新相変化メモリは繰り返し動作時の耐久性に課題が残されている。窒化物の中に、AlNが絶縁性、かつ、高い耐熱性を有するため、本研究では、AlCrN薄膜を作製し、その相変化メモリについて電気特性を評価した上で、さらに性能向上の可能性を探る。