講演情報
[8a-P05-18]CrN薄膜の電気特性に及ぼすAl添加の効果
〇張 惟喬1、双 逸1,2、安藤 大輔1、須藤 祐司1,2 (1.東北大工、2.東北大AIMR)
キーワード：
相変化メモリ、相変化材料、窒化物薄膜
IoT社会が入り、膨大な情報を処理・保存することが極めて重要になった。そのため、大容量・高速の性能を有する次世代相変化メモリにも注目が集まった。しかし、CrNを用いた新相変化メモリは繰り返し動作時の耐久性に課題が残されている。窒化物の中に、AlNが絶縁性、かつ、高い耐熱性を有するため、本研究では、AlCrN薄膜を作製し、その相変化メモリについて電気特性を評価した上で、さらに性能向上の可能性を探る。