Presentation Information
[8a-P05-21]Characterization of the Crystallinity of Y-doped AlN Sputtered Thin Films
〇Kyosuke Shinoda1, Shogo Takemura1, Noriyuki Hasuike1, Koji Nishio1 (1.Kyoto Inst. Tech.)
Keywords:
Aluminum Nitride,Y doping
反応性 RF スパッタ法によりSi(001)基板上にY添加AlN薄膜を成膜した。Y非添加の試料では優先的にc軸に配向していることが確認された。Yを添加した試料では不純物析出相は観測されず、Y添加量の増大に伴って格子定数が変化し格子周期性が乱れることが示唆された。