[8a-P05-1~21] 6.4 薄膜新材料

[8a-P05-21] スパッタ成膜したY添加AlN薄膜の結晶性評価

〇篠田 恭佑¹、竹村 翔悟¹、蓮池 紀幸¹、西尾 弘司¹ (1.京工繊大工芸)

キーワード：

AlN、Y添加

反応性 RF スパッタ法によりSi(001)基板上にY添加AlN薄膜を成膜した。Y非添加の試料では優先的にc軸に配向していることが確認された。Yを添加した試料では不純物析出相は観測されず、Y添加量の増大に伴って格子定数が変化し格子周期性が乱れることが示唆された。