[8p-N206-1~15] 3.12 Semiconductor optical devices

3:00 PM - 3:15 PM JST(6:00 AM - 6:15 AM UTC)

[8p-N206-6] Characterization of surface-illuminated pin photodetectors with Ge epitaxial layer on Si

〇(M2)Ryoya Ogura¹, Naoki Hamada¹, Soki Matsushita¹, Jose A. Piedra- Lorenzana¹, Takeshi Hizawa¹, Toshimasa Umezawa², Naokatsu Yamamoto², Kouichi Akahane², Yasuhiko Ishikawa¹ (1.Toyohashi Univ. Tech., 2.NICT)

Keywords:

germanium,photodetector,Frequency Response

シリコンフォトニクスにおいて、Si上Geエピタキシャル層を光吸収層とする近赤外受光器 (PD) が利用されている。光通信に用いるPDの性能として受光効率、低暗電流、高周波応答が重要である。前回、Si-on-quartz (SOQ) 基板上のひずみ増強Ge層をメサ加工した表面入射型Ge pin PDにおいて、高受光効率と低暗電流を両立できることを報告した。今回は周波数応答の評価を行ったので報告する。