講演情報
[8p-N206-6]Si 上 Ge エピタキシャル層を用いた表面入射型 pin 受光器の評価
〇(M2)小椋 亮弥1、濵田 直希1、松下 宗暉1、Piedra- Lorenzana Jose A.1、飛沢 健1、梅沢 俊匡2、山本 直克2、赤羽 浩一2、石川 靖彦1 (1.豊橋技科大、2.NICT)
キーワード：
ゲルマニウム、受光器、周波数応答
シリコンフォトニクスにおいて、Si上Geエピタキシャル層を光吸収層とする近赤外受光器 (PD) が利用されている。光通信に用いるPDの性能として受光効率、低暗電流、高周波応答が重要である。前回、Si-on-quartz (SOQ) 基板上のひずみ増強Ge層をメサ加工した表面入射型Ge pin PDにおいて、高受光効率と低暗電流を両立できることを報告した。今回は周波数応答の評価を行ったので報告する。