Presentation Information
[8p-N206-7]High-power tolerance of InGaAs/InP photodiode for 200 GBaud applications.
〇Yuki Yamada1, Ikue Hiraoka1, Fumito Nakajima1 (1.NTT Device Technology Labs.)
Keywords:
semiconductor,photodiode,high speed
高速フォトダイオード(PD)は光通信の高速化に不可欠な技術であり、我々は200 Gbaud級通信に向けたPDを報告してきた。デジタルコヒーレントやIMDD方式において、PDには数mW級の入射光強度耐性が求められる。高速化を目的としたPDは素子体積の縮小によって動作帯域を拡張するが、電流密度の上昇により光強度耐性が劣化する課題がある。本研究では、導波路型よりも高い光強度耐性を持つ垂直入射型高速PDの特性を評価した。