[8p-N206-1~15] 3.12 半導体光デバイス

15:15 〜 15:30注目講演

[8p-N206-7] 200 GBaud級InGaAs/InP高速フォトダイオードの光強度耐性

〇山田 友輝¹、平岡 郁恵¹、中島 史人¹ (1.NTT先デ研)

キーワード：

半導体、PD、高速

高速フォトダイオード(PD)は光通信の高速化に不可欠な技術であり、我々は200 Gbaud級通信に向けたPDを報告してきた。デジタルコヒーレントやIMDD方式において、PDには数mW級の入射光強度耐性が求められる。高速化を目的としたPDは素子体積の縮小によって動作帯域を拡張するが、電流密度の上昇により光強度耐性が劣化する課題がある。本研究では、導波路型よりも高い光強度耐性を持つ垂直入射型高速PDの特性を評価した。