[8p-N321-1~19] 6.2 Carbon-based thin films

4:45 PM - 5:00 PM JST(7:45 AM - 8:00 AM UTC)

[8p-N321-12] Stress in homoepitaxial diamond films grown by HFCVD

〇Kimiyoshi Ichikawa¹, Kazuki Kobayashi¹, Tsubasa Matsumoto¹, Kan Hayashi¹, Takao Inokuma¹, Satoshi Yamasaki¹, Norio Tokuda¹ (1.Kanazawa Univ.)

Keywords:

Diamond,Stress

ホットフィラメントCVD法によるダイヤモンド成長での転位低減メカニズム解明を目指し、膜内の応力に着目した 。その結果、(111)ホモエピタキシャル膜には、メタン濃度に依存する大きな引張応力が不均一に生じることを見出した 。この応力は最大1.4 GPaに達し 、高濃度では膜が割れるほどであった 。応力の起源は格子不整合などでは説明できず、フィラメント由来のTa関連欠陥が示唆される 。