Presentation Information
[8p-N401-12]Effect of Si capping layer on lattice strain of Ge wire structures on Si
〇(M1)Soki Matsushita1, Jose A. Piedra-Lorenzana1, Takeshi Hizawa1, Yasuhiko Ishikawa1 (1.Toyohashi Univ. Tech.)
Keywords:
Germanium epitaxial layer,Lattice strain,Si cap layer
シリコンフォトニクス用受光器として，Si上Ge層が利用されている．Ge中の格子ひずみが動作波長に重要である．細線状メサ構造においては，ひずみ緩和によって光吸収端が短波長化する．Siキャップ層を付加することでひずみ緩和を理論上抑制できるが，Siキャップ層を付加した実験において，理論と異なる圧縮ひずみが観測された．Siキャップ層が応力源となってGeに圧縮ひずみが誘起されたと解釈できる実験結果が得られたので報告する．