[8p-P05-1~14] 13.9 Compound solar cells

[8p-P05-3] In-plane uniformity of 6-inch InGaP solar cells fabricated by hydride vapor phase epitaxy

〇(M2)Keigo Kondo¹, Oshima Ryuji², Yudai Shimizu³, Akinori Ubukata³, Hiroki Tokunaga³, Takeyoshi Sugaya², Yoshinobu Okano¹ (1.TCU, 2.AIST, 3.TNSC)

Keywords:

Solar cells,III-V compound semiconductors,Hydride Vapor Phase Epitaxy

HVPE法はIII-V族太陽電池の新たな低コスト製造方法として期待されている。量産装置の開発の一環として、6インチHVPEによって成長させたInGaP太陽電池の面内分布を評価した。J_SCおよびV_OCは中心から周辺にかけて徐々に低下したのに対し、FFは全体でほぼ均一な値を示した。ウエハ中心から外周にかけて膜厚が薄くなっていること、InGaP のIn組成が増大していることが原因と考えられる。