[8p-P05-1~14] 13.9 化合物太陽電池

[8p-P05-3] HVPE 法で作製された 6 インチ InGaP 太陽電池の面内均一性評価

〇(M2)近藤 圭悟¹、大島 隆治²、清水 裕大³、生方 映徳³、徳永 裕樹³、菅谷 武芳²、岡野 好伸¹ (1.東京都市大、2.産総研、3.大陽日酸)

キーワード：

太陽電池、III-V族化合物半導体、ハイドライド気相成長

HVPE法はIII-V族太陽電池の新たな低コスト製造方法として期待されている。量産装置の開発の一環として、6インチHVPEによって成長させたInGaP太陽電池の面内分布を評価した。J_SCおよびV_OCは中心から周辺にかけて徐々に低下したのに対し、FFは全体でほぼ均一な値を示した。ウエハ中心から外周にかけて膜厚が薄くなっていること、InGaP のIn組成が増大していることが原因と考えられる。