Presentation Information
[8p-P05-4]Direct formation of InP films on polyimide substrates using molten In films in a perfect wetting state as precursors
〇Ryoji Katsube1, Taiyo Matsunaga1, Noritaka Usami1,2,3 (1.Grad. Eng. Nagoya Univ., 2.IMaSS Nagoya Univ., 3.InFuS Nagoya Univ.)
Keywords:
Thin film growth process,III-V semiconductors,Wettability
我々は，In融液がMoOx/Mo/SLG基板上では特異的に均一な融液膜となる “完全濡れ現象” を見出し，完全濡れIn融液膜をりん蒸気と反応させることで，光学的にはバルク単結晶に匹敵する品質を有するInP薄膜を形成できることを以前に報告した．本講演では，本手法を任意基板上のIII-V族半導体薄膜形成プロセスへと発展させるべく，高耐熱性ポリイミドフィルム上へのInP製膜へ応用した結果について報告する．