講演情報
[8p-P05-4]完全濡れIn融液膜を前駆体としたポリイミド基板上へのInP薄膜の直接形成
〇勝部 涼司1、松永 太陽1、宇佐美 徳隆1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名大未来機構)
キーワード：
製膜プロセス、III-V族半導体、濡れ性
我々は，In融液がMoOx/Mo/SLG基板上では特異的に均一な融液膜となる “完全濡れ現象” を見出し，完全濡れIn融液膜をりん蒸気と反応させることで，光学的にはバルク単結晶に匹敵する品質を有するInP薄膜を形成できることを以前に報告した．本講演では，本手法を任意基板上のIII-V族半導体薄膜形成プロセスへと発展させるべく，高耐熱性ポリイミドフィルム上へのInP製膜へ応用した結果について報告する．