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[8p-P05-7]Investigation of raw material solution concentration in the preparation of Cu₂Sn_1-xGe_xS₃ thin films by three-source fine channel mist CVD method

〇Kazuki Nakashima¹, Tomoki Matushita¹, Ayaka Kanai¹, Kunihiko Tanaka¹ (1.Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:

solar cell,Mist CVD Method,Cu2Sn1-xGexS3(CTGS)

Cu2Sn1-xGexS3(CTGS)はCu₂SnS₃(CTS)とCu₂GeS₃(CGS)の混晶半導体で，10⁴ cm^-1以上の光吸収係数を有し，組成比xを変えることで単接合太陽電池の理想バンドギャップである1.4 eVに近付けられる。本研究室では，Cu，Snを含む溶液とSを含む溶液を作り，ファインチャネルミストCVD法によりソーダライムガラス(SLG)基板上へのCTS薄膜堆積を行ってきた。本研究ではCTS薄膜堆積機構にGeを含む溶液を追加した三源系ファインチャネルミストCVD法により，SLG基板上へのCTGS薄膜堆積を試みた。

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[8p-P05-7]Investigation of raw material solution concentration in the preparation of Cu2Sn1-xGexS3 thin films by three-source fine channel mist CVD method

Keywords:

[8p-P05-7]Investigation of raw material solution concentration in the preparation of Cu₂Sn_1-xGe_xS₃ thin films by three-source fine channel mist CVD method