[8p-P05-1~14] 13.9 化合物太陽電池

[8p-P05-7] 三源系ファインチャネルミストCVD法によるCu₂Sn_1-xGe_xS₃薄膜の作製における原料溶液の濃度検討

〇中島 和輝¹、松下 知樹¹、金井 綾香¹、田中 久仁彦¹ (1.長岡技科大)

キーワード：

太陽電池、ミストCVD法、Cu2Sn1-xGexS3(CTGS)

Cu2Sn1-xGexS3(CTGS)はCu₂SnS₃(CTS)とCu₂GeS₃(CGS)の混晶半導体で，10⁴ cm^-1以上の光吸収係数を有し，組成比xを変えることで単接合太陽電池の理想バンドギャップである1.4 eVに近付けられる。本研究室では，Cu，Snを含む溶液とSを含む溶液を作り，ファインチャネルミストCVD法によりソーダライムガラス(SLG)基板上へのCTS薄膜堆積を行ってきた。本研究ではCTS薄膜堆積機構にGeを含む溶液を追加した三源系ファインチャネルミストCVD法により，SLG基板上へのCTGS薄膜堆積を試みた。