Presentation Information
[8p-P09-5]Invesgation of Deposition Conditons For Epitaxial Growth of Al0.7Sc0.3N Thin Filims on Pt/TiN/Si Substrates Toward Growth
〇Yusuke Aoki1, Koki Yasuoka1, Hiroto Yamada1, Norifumi Fujimura1, Takeshi Yosimura1 (1.Osaka Metro. Univ.)
Keywords:
ferroelectric thin films,AlScN
大きな自発分極を有するAl₁₋ₓScₓN薄膜は、CMOSプロセスとの互換性を備えた強誘電体材料として、不揮発性メモリ素子への応用が期待されている。薄膜成長に関する多くの研究報告があるものの、エピタキシャル薄膜に関するものはサファイア基板上が中心である。一方で、デバイス応用で重要となるSi上のエピタキシャル成長は報告が限られている。そこで本研究では、エピタキシャルPt(111)/TiN(111)/Si(111)基板を用いてAl1-xScxN薄膜のエピタキシャル成長条件の検討を行った。