[8p-P09-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

[8p-P09-5] Si基板上へのAl_0.7Sc_0.3N薄膜のエピタキシャル成長に向けた製膜条件の検討

〇青木 悠佑¹、安岡 功樹¹、山田 洋人¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大工)

キーワード：

強誘電体薄膜、AlScN

大きな自発分極を有するAl₁₋ₓScₓN薄膜は、CMOSプロセスとの互換性を備えた強誘電体材料として、不揮発性メモリ素子への応用が期待されている。薄膜成長に関する多くの研究報告があるものの、エピタキシャル薄膜に関するものはサファイア基板上が中心である。一方で、デバイス応用で重要となるSi上のエピタキシャル成長は報告が限られている。そこで本研究では、エピタキシャルPt(111)/TiN(111)/Si(111)基板を用いてAl1-xScxN薄膜のエピタキシャル成長条件の検討を行った。