Presentation Information
[8p-S301-5]Control of interface and physical properties of Si/Ge nanowires
〇Naoki Fukata1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)
Keywords:
semiconductor,hetero-nanostructure,doping
ナノ構造を利用した新規トランジスタでは微小構造中に不純物ドーピングを行うと、ドーピングした不純物自体の散乱により移動度が低下してしまうため，不純物散乱の問題を解決する構造として、不純物のドーピング領域とキャリアの輸送領域を分離できるコアシェルヘテロ接合をナノワイヤ内部に構築する研究を行っている。当日は、ナノワイヤの配列・サイズ制御、選択ドーピング、Fano干渉によるホールガス蓄積の実証を紹介する。