講演情報
[8p-S301-5]Si/Geナノワイヤの界面・物性制御
〇深田 直樹1,2 (1.物質・材料研究機構、2.筑波大学)
キーワード：
半導体、ヘテロナノ構造、ドーピング
ナノ構造を利用した新規トランジスタでは微小構造中に不純物ドーピングを行うと、ドーピングした不純物自体の散乱により移動度が低下してしまうため，不純物散乱の問題を解決する構造として、不純物のドーピング領域とキャリアの輸送領域を分離できるコアシェルヘテロ接合をナノワイヤ内部に構築する研究を行っている。当日は、ナノワイヤの配列・サイズ制御、選択ドーピング、Fano干渉によるホールガス蓄積の実証を紹介する。