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9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N102-4]MEMS-Actuated Variable Optical Attenuator Formed on a High-Resistivity Single-Crystal Silicon Substrate for Terahertz-Band Photonic Integrated Circuits

〇Kohei Chiba¹, Yoshiaki Kanamori¹ (1.Tohoku Univ.)

Photonic integrated circuits,Variable optical attenuator,Micro-electromechanical systems (MEMS)

6G通信向けテラヘルツ帯フォトニック集積回路において，低消費電力・低損失な可変光減衰器を実現するため，高抵抗率シリコン基板上にMEMSと導波路を集積化した素子を提案・実証した．従来報告と比べ消費電力を1/60以下，挿入損失を約1/5に抑えることに成功した．