[9a-N201-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[9a-N201-2] Piezoelectric properties of Nb-dope of epitaxial Pb(Zr,Ti)O3 thin films

〇Naoto Yamamoto¹, Ryunosuke Yagi¹, Sang Hyo Kweon¹, Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:

piezoelectric property,ferroelectric properties,Nb-doping

前回の応用物理学会では、MPB組成のc軸配向エピタキシャルPZT (53/47)薄膜にNbを添加し、その結晶構造と強誘電性および圧電性の関係について調べた結果、Nbの添加量が増加するほど正方晶性が減少し、Extrinsic効果により圧電特性が向上することを報告した。本研究では、Zr/Ti = 40/60付近である正方晶組成のc軸配向エピタキシャルPZT 薄膜にNbを添加し、その結晶構造と強誘電性および圧電性の関係を調べた。