[9a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

9:15 〜 9:30

[9a-N201-2] Nb添加エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃薄膜の圧電特性評価

〇山本 郁仁¹、八木 隆之介¹、權 相曉¹、神野 伊策¹ (1.神戸大工)

キーワード：

圧電性、強誘電性、Nb添加

前回の応用物理学会では、MPB組成のc軸配向エピタキシャルPZT (53/47)薄膜にNbを添加し、その結晶構造と強誘電性および圧電性の関係について調べた結果、Nbの添加量が増加するほど正方晶性が減少し、Extrinsic効果により圧電特性が向上することを報告した。本研究では、Zr/Ti = 40/60付近である正方晶組成のc軸配向エピタキシャルPZT 薄膜にNbを添加し、その結晶構造と強誘電性および圧電性の関係を調べた。