[9a-N201-1~10] 6.1 Ferroelectric thin films

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[9a-N201-9] Fabrication and Electrical Characterization of BiFeO₃–BaTiO₃ Thin Films on Si Substrates

〇(M1)Yuji Ashida¹, Norifumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metropolitan Univ.)

Keywords:

ferroelectric thin film,BF-BT

近年、BaTiO₃(BT)とBiFeO₃(BF)の固溶体である(1-x)BF-xBT系材料への注目が高まっている。大きなエネルギー密度や大きな圧電ひずみ、最大分極などが報告されている。しかしながら、多くの研究はバルクセラミックスで行われており、エピタキシャル薄膜の報告としては、SrTiO₃基板上へエピタキシャル成長させたBF-BT薄膜を用いて、MPB付近での圧電特性の調べた例はあるが、Si上ではほとんどない。そこで本研究では、2軸コンビナトリアルスパッタ法を用いてSi基板上にBF-BT薄膜をエピタキシャル成長させ、その電気特性を調べた。