[9a-N201-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[9a-N201-9] Si基板上へのBiFeO₃-BaTiO₃薄膜の作製とその電気特性評価

〇(M1)足田 友志¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大工)

キーワード：

強誘電体薄膜、BF-BT

近年、BaTiO₃(BT)とBiFeO₃(BF)の固溶体である(1-x)BF-xBT系材料への注目が高まっている。大きなエネルギー密度や大きな圧電ひずみ、最大分極などが報告されている。しかしながら、多くの研究はバルクセラミックスで行われており、エピタキシャル薄膜の報告としては、SrTiO₃基板上へエピタキシャル成長させたBF-BT薄膜を用いて、MPB付近での圧電特性の調べた例はあるが、Si上ではほとんどない。そこで本研究では、2軸コンビナトリアルスパッタ法を用いてSi基板上にBF-BT薄膜をエピタキシャル成長させ、その電気特性を調べた。