[9a-N202-1~11] CS.5 Code-sharing session of 3.10&3.13

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[9a-N202-1] Development of L-band Raman silicon nanocavity laser (II)

〇Rikuto Ichinose¹, Shoei Yamasaki¹, Ayumi Ishihara^1,2, Yuta Kanemaru¹, Takashi Asano³, Susumu Noda^3,4, Yasushi Takahashi^1,2 (1.Osaka Met Univ., 2.Okayama Univ., 3.Kyoto Univ., 4.KUIAS.)

Keywords:

Silicon Photonics,Raman silicon laser,Nanocavity

我々はこれまで，光通信で最も重要な波長帯であるC-band（1.55 mm帯）において，高Q値ナノ共振器を用いた超低閾値シリコンラマンレーザの開発に取り組んできた．ラマンレーザは，広い波長範囲でレーザ発振が可能という特長を持つことから，C-band以外の通信バンドへの応用も期待される．近年，C-bandの長波側に位置するL-band（1565〜1625 nm）の利用が増加しており，我々は前回，L-bandにおけるナノ共振器シリコンラマンレーザの発振動作（1580 nm）を報告した．今回，1600 nmを超える波長域で発振するナノ共振器シリコンラマンレーザの試作を行い，そのデバイス設計上の課題を明らかにしたので報告する．