Presentation Information
[9a-N301-10]Analysis of alteration layer formed by treating AlGaN with saturated vapor pressure water
〇(DC)Eri Matsubara1, Sho Iwayama1, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satoshi Kamiyama1, Takahiro Maruyama1, Hideto Miyake2 (1.Meijo Univ, 2.Mie Univ)
Keywords:
AlGaN,XPS,UV-B
本研究グループはサファイア基板上に形成したAlNピラー上にAlGaNを結晶成長させることにより格子緩和した高品質AlGaNを実現した．また，この高品化したAlGaNを用いることによりUV-B半導体レーザの動作を実証した．今後，高出力化を目指すためには縦型デバイスの実現が重要であり，そのためには基板を剥離する技術の開発が不可欠である．我々は， 115℃の飽和蒸気圧水を用いることにより基板の剥離が可能であることを見出した．この参考文献2に示した断面SEM像では，支持基板側の剥離したAlGaNの界面に変質層が観察された．この変質層をXRDで測定した結果変質層はAlOOHであることは分かりAlNが酸化・水酸化により変質したことは分かった．しかし，GaNの化学状態は分からなかった.本報告ではその変質層をXPSにより解析し，Gaが酸化・水酸化を示唆する結果が得られたので報告する．