[9a-N303-1~9] 10.3 Spin devices, magnetic memories and storages

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[9a-N303-3] Electronic and Magnetic States of Insulator/Co₂MnSi Interfaces Studied by
Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy

〇Shigenori Ueda¹, Yuichi Fujita¹, Yuya Sakuraba¹ (1.NIMS)

Keywords:

half-metal,hard X-ray photoelectron spectroscopy,interface

絶縁体/Co₂MnSi界面の電子状態と磁気状態をバルク領域のCo₂MnSiと比較するために、SPring-8 BL15XUにてX線全反射を利用したHAXPES測定(hv = 5.95 keV, dE = 140 meV)を室温にて行った。全反射条件で界面近傍を、非全反射条件でバルク領域の磁気状態を磁気円二色性HAXPESから測定した結果、界面近傍でのCoとMnの磁化はバルク領域の0.77倍になっていることが明らかとなった。この磁化の減少は、界面における磁気モーメント間の交換相互作用の減少に伴うスピン波励起で説明できる。