[9a-N303-1~9] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

9:30 〜 9:45

[9a-N303-3] 硬X線光電子分光による絶縁体/Co₂MnSi界面の電子状態と磁気状態

〇上田 茂典¹、藤田 裕一¹、桜庭 裕弥¹ (1.NIMS)

キーワード：

ハーフメタル、硬X線光電子分光、界面

絶縁体/Co₂MnSi界面の電子状態と磁気状態をバルク領域のCo₂MnSiと比較するために、SPring-8 BL15XUにてX線全反射を利用したHAXPES測定(hv = 5.95 keV, dE = 140 meV)を室温にて行った。全反射条件で界面近傍を、非全反射条件でバルク領域の磁気状態を磁気円二色性HAXPESから測定した結果、界面近傍でのCoとMnの磁化はバルク領域の0.77倍になっていることが明らかとなった。この磁化の減少は、界面における磁気モーメント間の交換相互作用の減少に伴うスピン波励起で説明できる。