[9a-N323-1~9] 13.9 Compound solar cells

10:15 AM - 10:30 AM JST(1:15 AM - 1:30 AM UTC)

[9a-N323-4] Direct formation of InP films onto Si substrates utilizing a perfect wetting phenomenon of molten indium

〇(M1)Taiyo Matsunaga¹, Imai Yuki¹, Usami Noritaka^1,2,3, Katsube Ryoji¹ (1.Nagoya Univ, 2.IMaSS Nagoya Univ, 3.InFuS Nagoya Univ)

Keywords:

indium phosphide,perfect wetting,Interfacial reaction

MoO_x/Mo/ガラス基板上におけるIn融液の完全濡れ現象が見出され、これを利用して、高品質InPを製膜できることが報告された。完全濡れの発現に必要なMoO_xはアモルファス層で良いため、本手法は任意の基板上へ適用できる可能性があり、次世代デバイスへの展開が期待できる。本研究では、Si基板上に製膜したMoO_x上におけるIII族金属の濡れ性を調査し、InP薄膜を形成することを目的とした。